國(guó)家電網(wǎng)招聘考試高頻考點(diǎn)電力電子技術(shù)：典型全控型器件2

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2025-05-31

來(lái)源：

2：電力晶體管

電力晶體管（Giant Transistor——GTR，直譯為巨型晶體管）。

耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有時(shí)候也稱(chēng)為Power BJT。

應(yīng)用：20世紀(jì)80年代以來(lái)，在中、小功率范圍內(nèi)取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和電力MOSFET取代。在應(yīng)用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法。

共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。在電力電子電路中GTR工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過(guò)渡時(shí)，要經(jīng)過(guò)放大區(qū)。

3：電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡(jiǎn)稱(chēng)電力MOSFET（Power MOSFET）

電力MOSFET的種類(lèi)：電力MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

電力MOSFET的結(jié)構(gòu)

小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷ｋ娏OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。

導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS

靜態(tài)特性

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱(chēng)為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性。

工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換。

小思給大家準(zhǔn)備了電工類(lèi)專(zhuān)業(yè)所考察的七科專(zhuān)業(yè)課思維導(dǎo)圖