2：電力晶體管

電力晶體管（Giant Transistor——GTR，直譯為巨型晶體管）。

耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有時(shí)候也稱(chēng)為Power BJT。

應用：20世紀80年代以來(lái)，在中、小功率范圍內取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和電力MOSFET取代。在應用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法。

共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性：截止區、放大區和飽和區。在電力電子電路中GTR工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，即在截止區和飽和區之間過(guò)渡時(shí)，要經(jīng)過(guò)放大區。

3：電力場(chǎng)效應晶體管

通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide   Semiconductor FET），簡(jiǎn)稱(chēng)電力MOSFET（Power MOSFET）

電力MOSFET的種類(lèi)：電力MOSFET主要是N溝道增強型。

電力MOSFET的結構

小功率MOS管是橫向導電器件。電力MOSFET大都采用垂直導電結構。

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。

導電：在柵源極間加正電壓UGS

靜態(tài)特性

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱(chēng)為MOSFET的轉移特性。

工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即在截止區和非飽和區之間來(lái)回轉換。

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